Заведующий отделом ТиМФ.
Родился 9 июня 1972 года. В 1995 году окончил факультет микроэлектроники Кабардино-Балкарского государственного университета по специальности «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», получив квалификацию инженера-физика. Имеет более 150 научных публикаций.
Доктор физико-математических наук, специальность 01.04.01 — Приборы и методы экспериментальной физики
Научные интересы:
- Физика конденсированного состояния и физическая химия (размерные явления)
- Дробное исчисление и физика фракталов
Член редколлегии журналов:
- Нелинейный мир (РФ, Москва)
- World Journal of Condensed Matter Physics (USA, Irvine)
- American Journal of Condensed Matter Physics (USA, Rosemead)
- Известия Кабардино-Балкарского научного центра РАН (РФ, Нальчик)
- «Вестник КРАУНЦ. Физико-математические науки» (РФ, Петропавловск-Камчатский)
Является экспертом в научно-технической сфере РФ. Свидетельство>>
Некоторые публикации:
- Рехвиашвили С.Ш., Киштикова Е.В. О размерной зависимости поверхностного натяжения // ЖТФ. 2011. Т.81. №1. С.148-151.
- Рехвиашвили С.Ш., Гавашели Д.Ш. Об излучении диэлектрического фрактального кластера // Физика твердого тела. 2011. Т.53. № 9. С.1727-1731.
- Рехвиашвили С.Ш., Потапов А.А. Мемристор и целочисленный квантовый эффект Холла // Радиотехника и электроника. 2012. Т.57. № 2. С.207-210.
- Рехвиашвили С.Ш. Поверхностное натяжение жидких инертных газов // Письма в ЖТФ. 2012. Т.32. № 22. С.9-14.
- Рехвиашвили С.Ш. Модель термодинамических свойств фуллерита // Физика твердого тела. 2013. Т.55. №7. С.1422-1424.
- Рехвиашвили С.Ш., Киштикова Е.В. Влияние размерной зависимости поверхностного натяжения на динамику пузырька в жидкости // ЖЭТФ. 2014. Т.145. №6. С.1121-1126.
- Рехвиашвили С.Ш. О термодинамических свойствах идеального графена // Микро- и наносистемная техника. 2014. №10. C.43-46.
- Рехвиашвили С.Ш., Сокуров А.А. Фрактальное обобщение модели Томаса-Ферми // Физика металлов и металловедение. 2016. Т.117. №5. С. 439-441.
- Рехвиашвили С.Ш. Уравнение состояния фуллерита C60 // Физика твердого тела. 2017. Т.59. №4. С.816-818.
- Рехвиашвили С.Ш., Алиханов А.А. Моделирование диффузионно-дрейфового транспорта носителей заряда в полупроводниковых слоях с фрактальной структурой в переменном электрическом поле // Физика и техника полупроводников. 2017. №6. С.787-791.
- Потапов А.А., Рехвиашвили С.Ш. Моделирование некоторых свойств изображений с атомарным разрешением в сканирующем зондовом микроскопе // Журнал технической физики. 2018. Т.88, № 6. С.803-807.
- Rekhviashvili S. Sh., Sokurov A. A. Modeling of sessile droplet with the curvature dependence of surface tension // TURKISH JOURNAL OF PHYSICS, 2018, Vol. 42, № 6, Pp. 699–705.
Монографии:
- Рехвиашвили С.Ш. Размерные явления в физике конденсированного состояния и нанотехнологиях. Нальчик: Изд. КБНЦ РАН, 2014. – 250 с.